Strukturno modulirani grafen predstavlja jednu od realizacija napregnutog grafena koji je efektivno 3D varijanta tog inače 2D materijala, a koji za posljedicu ima značajnu modifikaciju grafenske elektronske strukture. Time se otvara mogućnost primjene takvog grafena u optoelektronici, spintronici, staintronici (elektronici koja koristi efekte naprezanja), raznim senzorima i baterijama, što je motiviralo moj doktorski i poslije doktorski rad. Specifičnije, u sklopu doktorata sintetizirala sam jedno-osno modulirani grafen rastom na stepeničastoj podlozi Ir(332) te ga analizirala nizom tehnika (STM, AFM, LEED, ARPES, Raman i DFT) gdje smo uz renormalizaciju grafenskih vrpci te lokalnu promjenu u dopiranju i vezanju grafena opazili i značajne strukturne promjene u vidu periodičnog restrukturiranja rezultirajuće površine. Ovaj efekt je izuzetno bitan jer se pokazalo da je restrukturiranje univerzalni proces simptomatičan za rast grafena na svim metalnim površinama, a modulacija, kao i pripadno jedno-osno naprezanje, se zadržava i nakon transfera na ravnu površinu. Opsežan DFT račun ukazao je na postojanje mehanizma usidravanja grafena na rubove stepenica koje u konačnici rezultira opaženim površinskim restrukturiranjem. Tijekom poslije doktorskog usavršavanja radila sam na problemu dvo-osno napregnutog grafena koji je realiziran transferom grafena na 20 nm SiO2 nanosfere heksagonalno posložene na Si pločicu. Takav grafen pokazuje promijenjenu elektronsku strukturu uslijed naprezanja što smo mjerili koristeći STM i STS tehnike. Uz navedenu problematiku napregnutog grafena, u predavanju ću se sažeto osvrnuti na rezultate ostvarene kroz unutar i izvan institutske suradnje te ću na kraju ukratko izložiti planove za uključivanje u postojeće i nadolazeće projekte na Institutu za fiziku, kao i ideje za otvaranje novih smjerova istraživanja.